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Memoria Ram Notebook Ddr4 4gb 2666mhz Sodimm Kingston 1.2v

$4,049.00

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SKU: KVR26S19S6/4 Categorías: , Brand: .

Descripción

KINGSTON

KVR26S19S6/4
4GB 1Rx16 512M x 64-Bit PC4-2666
CL19 260-Pin SODIMM

DESCRIPCION
Este documento describe el KVR26S19S6 / 4 de ValueRAM como un módulo de memoria DDR4-2666 CL19 SDRAM (DRAM síncrono) de 512 M x 64 bits (4 GB), 1Rx16, basado en cuatro componentes FBGA de 512 M x 16 bits. El SPD está programado para la latencia estándar JEDEC DDR4-2666 de 19-19-19 a 1,2 V. Este SODIMM de 260 pines utiliza dedos de contacto dorados. Las especificaciones eléctricas y mecánicas son las siguientes:

CARACTERÍSTICAS
• Fuente de alimentación: VDD = 1,2 V típico
• VDDQ = 1,2 V típico
• VPP = 2,5 V típico
• VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
• Terminación nominal y dinámica en matriz (ODT) para
señales de datos, luz estroboscópica y máscara
• Autoactualización de bajo consumo (LPASR)
• Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
• Generación y calibración de VREFDQ en la matriz
• Rango único
• EEPROM de detección de presencia en serie (SPD) I2 incorporada
• 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada uno
• Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8
a través del conjunto de registros de modo (MRS)
• BC4 o BL8 seleccionables sobre la marcha (OTF)
• Topología fly-by
• Bus de dirección y comando de control terminado
• PCB: Altura 1,18 “(30,00 mm)
• Cumple con RoHS y libre de halógenos

SPECIFICATIONS

CL(IDD): 19 cycles
Row Cycle Time (tRCmin): 45.75ns(min.)
Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin): 350ns(min.)
Row Active Time (tRASmin): 32ns(min.)
Maximum Operating Power: TBD W*
UL Rating: 94 V – 0
Operating Temperature: 0° C to +85° C
Storage Temperature: -55° C to +100° C

*Power will vary depending on the SDRAM used.

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